透射電鏡高溫力學(xué)原位系統(tǒng)通過MEMS芯片在原位樣品臺內(nèi)構(gòu)建力、熱復(fù)合多場自動控制及反饋測量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時、動態(tài)監(jiān)測樣品在真空環(huán)境下隨溫度、施加力變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。

透射電鏡雙傾探針電學(xué)原位系統(tǒng)通過納米探針對樣品施加電場控制，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時、動態(tài)監(jiān)測樣品在真空環(huán)境下隨電場變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。

透射電鏡力電原位系統(tǒng)通過MEMS芯片在原位樣品臺內(nèi)構(gòu)建力、電復(fù)合多場自動控制及反饋測量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時、動態(tài)監(jiān)測樣品在真空環(huán)境下隨電場、施加力變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。

透射電鏡高溫力電原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對樣品施加力學(xué)、電場、熱場控制，在原位樣品臺內(nèi)構(gòu)建力、電、熱復(fù)合多場自動控制及反饋測量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時、動態(tài)監(jiān)測樣品在真空環(huán)境下隨溫度、電場、施加力變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。